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Ⅲ类介电陶瓷基片

应用: 主要用于制造小尺寸大容量微波单层陶瓷电容器、阻容一体元件。 特性: 1、具有很高的介电常数,常规介电常数范围在10000~70000之间。 2、其电容量随温度非线性变化,有X7R、X7S。 3、长宽1.5 英寸,厚度0.1~3.0mm。

Ⅰ类介电陶瓷基片

应用: 主要用于制造高精度高稳定微波单层陶瓷电容器、微波陶瓷薄膜电路、微波介质天线等。 特性: 1、高品质因子(Q值),可选介电常数范围广 15~900。 2、线性温度系数,具有优良的温度稳定性。 3、长宽1.5 英寸,厚度0.1~3.0mm。

Ⅱ类介电陶瓷基片

应用: 主要用于制造大功率、高耐电压、高可靠性微波单层陶瓷电容器等。 特性: 1、具有较高的介电常数,介电常数在1000~10000之间。 2、其电容量随温度非线性变化,有X5R、X7R、X7S、Z5U、Y5V等多种介电温度特性可选。 3、长宽1.5 英寸,厚度0.1~3.0mm。
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