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通用型微波单层瓷介电容器

特点: 可留边设计,减少安装时短路风险;微波性能优良,适用频率最高达200GHz;适用于金丝键合,金锡或导电胶多种焊料焊接。 应用: 主要应用于微波电路中滤波、耦合、隔直、阻抗匹配等。
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薄膜电路

特点: 作为微型电子元器件的一种,具有高绝缘性、高热稳定性、高精度、化学稳定性、高强度及微型化等特点。 可根据客户需要定制 在氮化铝、氧化铝、石英玻璃及各种高介电基片材料上进行图形和电阻定制加工,图形最高精度可达±2微米,电阻精度最高可达±2%。
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陶瓷薄膜电阻

特性: 利用氧化铝或氮化铝等陶瓷材料作为基底,在其表面通过物理或化学方法沉积一层薄膜电阻材料(氮化钽、镍铬合金)制成的电阻器。这种电阻器具有高精度、高稳定性、耐高温、耐腐蚀等优良特性。 应用: 在通信电路中,陶瓷薄膜电阻常用于信号调理和滤波等部分;在工业自动化控制系统中,陶瓷薄膜电阻常用于传感器和测量电路中。
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Ⅲ类介电陶瓷基片

应用: 主要用于制造小尺寸大容量微波单层陶瓷电容器、阻容一体元件。 特性: 1、具有很高的介电常数,常规介电常数范围在10000~70000之间。 2、其电容量随温度非线性变化,有X7R、X7S。 3、长宽1.5 英寸,厚度0.1~3.0mm。
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Ⅰ类介电陶瓷基片

应用: 主要用于制造高精度高稳定微波单层陶瓷电容器、微波陶瓷薄膜电路、微波介质天线等。 特性: 1、高品质因子(Q值),可选介电常数范围广 15~900。 2、线性温度系数,具有优良的温度稳定性。 3、长宽1.5 英寸,厚度0.1~3.0mm。
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Ⅱ类介电陶瓷基片

应用: 主要用于制造大功率、高耐电压、高可靠性微波单层陶瓷电容器等。 特性: 1、具有较高的介电常数,介电常数在1000~10000之间。 2、其电容量随温度非线性变化,有X5R、X7R、X7S、Z5U、Y5V等多种介电温度特性可选。 3、长宽1.5 英寸,厚度0.1~3.0mm。
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阵列型微波单层瓷介电容器

特点: 多电极相同容值的设计,安装方便;节约安装空间及安装成本。 应用: 适用于需要多个电容应用的电路中,如绕路和偏置电路。
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串联型微波单层瓷介电容器

特点: 低插入损耗和极高的自谐振频率;具有更高的耐压能力和更低的等效串联电阻(ESR),适用于表面贴装,安装更加方便简单。 应用: 主要用于微波电路中滤波、耦合、隔直、阻抗匹配等,低插入损耗和极高的自谐振频率使其更适用于射频/微波和米波应用。
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微波阻容网络产品

特点: 结合了电阻和电容的特性于一体,降低需安装的元件数量,节约成本。 应用: 主要应用于微波集成电路中。
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梯形微波单层瓷介电容器

特点: 斜面边缘减少了机械或热冲击造成的开裂可能性。沿斜边的较长路径也提供了防弧保护。适用于金丝键合,金锡或导电胶多种焊料焊接。 应用: 主要用于微波电路中滤波、耦合、隔直、阻抗匹配等。
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金锡热沉

特点: 预制金锡氮化铝(AlN)陶瓷热沉因其低热阻、低应力等特点, 应用: 主要应用于光纤耦合模块和激光器泵浦源的制造,进而应用于半导体激光器、光通信等领域。
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热桥

特性: 高的热导率、低热阻、低容值;氮化铝介质,优良导热能力。 应用: 放大器、滤波器、合成器、PIN和激光二极管等,主要应用在散热点、过孔焊盘、金属化器件边缘。
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定制多容值微波单层瓷介电容器

特点: 多种容值设计,客户安装时更加方便;节约安装空间及安装成本。‘ 应用: 主要应用于微波电路中匹配网络、并联谐振回路、介质谐振的调谐或耦合。
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大功率厚铜电路

特点: 大功率厚铜电路采用高导电性的厚铜材料作为导体,通过优化电路布局和导体结构,实现高功率、高电流密度的传输。其基本原理在于利用厚铜材料的高导电性,降低线路电阻,减少能量损失,同时利用厚铜材料的良好散热性能,确保电路在高功率工作状态下的稳定性。
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陶瓷薄膜衰减器

特点: 采用陶瓷薄膜技术制作的电子元件,主要作用是在电路中实现对信号幅度的可控衰减。它通过精确控制陶瓷薄膜的电阻值和结构,实现对信号传输的衰减效果。 应用: 陶瓷薄膜衰减器在通信、雷达、测试仪器等领域具有广泛应用,对于保证信号的稳定传输和准确测量具有重要意义。
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